SIHG80N60E-GE3

వ్యాఖ్య: యాక్టివ్-సెమీ SIHG80N60E-GE3 chipnets.comలో అందుబాటులో ఉంది. మేము కొత్త & ఒరిజినల్ భాగాన్ని మాత్రమే విక్రయిస్తాము మరియు 1 సంవత్సరం వారంటీ సమయాన్ని అందిస్తాము. మీరు ఉత్పత్తుల గురించి మరింత తెలుసుకోవాలనుకుంటే లేదా మరింత మెరుగైన ధరను వర్తింపజేయాలనుకుంటే, దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించండి ఆన్‌లైన్ చాట్ క్లిక్ చేయండి లేదా మాకు కోట్ పంపండి.

ESD యాంటిస్టాటిక్ రక్షణ ద్వారా అన్ని ఎలక్ట్రానిక్స్ భాగాలు చాలా సురక్షితంగా ప్యాకింగ్ చేయబడతాయి.

package

స్పెసిఫికేషన్

టైప్ చేయండి	వివరణ
సిరీస్	E
ప్యాకేజీ	Tube
పార్ట్ స్థితి	Active
FET రకం	N-Channel
సాంకేతికం	MOSFET (Metal Oxide)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది	600 V
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.	80A (Tc)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్)	10V
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs	30mOhm @ 40A, 10V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id	4V @ 250µA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs	443 nC @ 10 V
Vgs (గరిష్టంగా)	±30V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds	6900 pF @ 100 V
FET ఫీచర్	-
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా)	520W (Tc)
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత	-55°C ~ 150°C (TJ)
మౌంటు రకం	Through Hole
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ	TO-247AC
ప్యాకేజీ / కేసు	TO-247-3

కొనుగోలు ఎంపికలు

స్టాక్ స్థితి: 1431

కనిష్ట: 1

పరిమాణం	యూనిట్ ధర	Ext. ధర
ధర అందుబాటులో లేదు, దయచేసి RFQ

సరుకు లెక్కింపు

FedEx ద్వారా US $40.

3-5 రోజుల్లో చేరుకుంటారు

ఎక్స్‌ప్రెస్:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ కంటే ఎక్కువ ఆర్డర్‌ల కోసం మొదటి 0.5kgపై ఉచిత షిప్పింగ్, అధిక బరువు ప్రత్యేకంగా వసూలు చేయబడుతుంది

జనాదరణ పొందిన నమూనాలు

ఈ అంశం మీ కార్ట్‌కు జోడించబడింది.