Rectron USA / RM4N650IP
చిత్రం సూచన కోసం, దయచేసి నిజమైన చిత్రాన్ని పొందడానికి మమ్మల్ని సంప్రదించండి
RM4N650IP
| తయారీదారు పార్ట్ నంబర్: | RM4N650IP |
| తయారీదారు: | Rectron USA |
| వివరణలో భాగం: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251 |
| లీడ్ ఉచిత స్థితి / RoHS స్థితి: | లీడ్ ఫ్రీ / RoHS కంప్లైంట్ |
| స్టాక్ పరిస్థితి: | అందుబాటులో ఉంది |
| నుండి షిప్: | Hong Kong |
| రవాణా మార్గం: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- వ్యాఖ్య
- యాక్టివ్-సెమీ RM4N650IP chipnets.comలో అందుబాటులో ఉంది. మేము కొత్త & ఒరిజినల్ భాగాన్ని మాత్రమే విక్రయిస్తాము మరియు 1 సంవత్సరం వారంటీ సమయాన్ని అందిస్తాము. మీరు ఉత్పత్తుల గురించి మరింత తెలుసుకోవాలనుకుంటే లేదా మరింత మెరుగైన ధరను వర్తింపజేయాలనుకుంటే, దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించండి ఆన్‌లైన్ చాట్ క్లిక్ చేయండి లేదా మాకు కోట్ పంపండి.
ESD యాంటిస్టాటిక్ రక్షణ ద్వారా అన్ని ఎలక్ట్రానిక్స్ భాగాలు చాలా సురక్షితంగా ప్యాకింగ్ చేయబడతాయి.
స్పెసిఫికేషన్
| టైప్ చేయండి | వివరణ |
|---|---|
| సిరీస్ | - |
| ప్యాకేజీ | Tube |
| పార్ట్ స్థితి | Active |
| FET రకం | N-Channel |
| సాంకేతికం | MOSFET (Metal Oxide) |
| మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది | 650 V |
| ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C. | 4A (Tc) |
| డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్) | 10V |
| Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs | - |
| Vgs (గరిష్టంగా) | ±30V |
| ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| FET ఫీచర్ | - |
| శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా) | 46W (Tc) |
| నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| మౌంటు రకం | Through Hole |
| సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ | TO-251 |
| ప్యాకేజీ / కేసు | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
స్టాక్ స్థితి: అదే రోజు షిప్పింగ్
కనిష్ట: 1
| పరిమాణం | యూనిట్ ధర | Ext. ధర |
|---|---|---|
ధర అందుబాటులో లేదు, దయచేసి RFQ |
||
సరుకు లెక్కింపు
FedEx ద్వారా US $40.
3-5 రోజుల్లో చేరుకుంటారు
ఎక్స్‌ప్రెస్:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ కంటే ఎక్కువ ఆర్డర్‌ల కోసం మొదటి 0.5kgపై ఉచిత షిప్పింగ్, అధిక బరువు ప్రత్యేకంగా వసూలు చేయబడుతుంది
కార్ట్కి జోడించబడింది!
ఈ అంశం మీ కార్ట్‌కు జోడించబడింది.