IMBG120R090M1HXTMA1

వ్యాఖ్య: యాక్టివ్-సెమీ IMBG120R090M1HXTMA1 chipnets.comలో అందుబాటులో ఉంది. మేము కొత్త & ఒరిజినల్ భాగాన్ని మాత్రమే విక్రయిస్తాము మరియు 1 సంవత్సరం వారంటీ సమయాన్ని అందిస్తాము. మీరు ఉత్పత్తుల గురించి మరింత తెలుసుకోవాలనుకుంటే లేదా మరింత మెరుగైన ధరను వర్తింపజేయాలనుకుంటే, దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించండి ఆన్‌లైన్ చాట్ క్లిక్ చేయండి లేదా మాకు కోట్ పంపండి.

ESD యాంటిస్టాటిక్ రక్షణ ద్వారా అన్ని ఎలక్ట్రానిక్స్ భాగాలు చాలా సురక్షితంగా ప్యాకింగ్ చేయబడతాయి.

package

స్పెసిఫికేషన్

టైప్ చేయండి	వివరణ
సిరీస్	CoolSiC™
ప్యాకేజీ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
పార్ట్ స్థితి	Active
FET రకం	N-Channel
సాంకేతికం	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
మూల వోల్టేజ్ (Vdss) కు ప్రవహిస్తుంది	1.2 kV
ప్రస్తుత - నిరంతర కాలువ (ఐడి) @ 25. C.	26A (Tc)
డ్రైవ్ వోల్టేజ్ (మాక్స్ Rds ఆన్, కనిష్ట Rds ఆన్)	-
Rds ఆన్ (గరిష్టంగా) @ Id, Vgs	125mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs (వ) (గరిష్టంగా) @ Id	5.7V @ 3.7mA
గేట్ ఛార్జ్ (Qg) (గరిష్టంగా) gs Vgs	23 nC @ 18 V
Vgs (గరిష్టంగా)	+18V, -15V
ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్ (సిస్) (గరిష్టంగా) @ Vds	763 pF @ 800 V
FET ఫీచర్	Standard
శక్తి వెదజల్లడం (గరిష్టంగా)	136W (Tc)
నిర్వహణా ఉష్నోగ్రత	-55°C ~ 175°C (TJ)
మౌంటు రకం	Surface Mount
సరఫరాదారు పరికర ప్యాకేజీ	PG-TO263-7-12
ప్యాకేజీ / కేసు	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

కొనుగోలు ఎంపికలు

స్టాక్ స్థితి: అదే రోజు షిప్పింగ్

కనిష్ట: 1

పరిమాణం	యూనిట్ ధర	Ext. ధర
ధర అందుబాటులో లేదు, దయచేసి RFQ

సరుకు లెక్కింపు

FedEx ద్వారా US $40.

3-5 రోజుల్లో చేరుకుంటారు

ఎక్స్‌ప్రెస్:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ కంటే ఎక్కువ ఆర్డర్‌ల కోసం మొదటి 0.5kgపై ఉచిత షిప్పింగ్, అధిక బరువు ప్రత్యేకంగా వసూలు చేయబడుతుంది

జనాదరణ పొందిన నమూనాలు

	IMBG120R140M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R220M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R045M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R090M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R030M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R350M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R060M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)

ఈ అంశం మీ కార్ట్‌కు జోడించబడింది.